Mesmo ainda sem qualquer otimização, a memória flash de grafeno consome apenas metade da energia e pode armazenar o dobro de informações que uma memória flash convencional. [Imagem: Hong et al.]
Menos energia e mais dados
O protótipo de uma memória flash feita com grafeno mostrou enormes vantagens em relação à tecnologia estado-da-arte na área.
Mesmo ainda sem qualquer otimização, a memória flash de grafeno consome apenas metade da energia e pode armazenar o dobro de informações que uma memória flash convencional.
Além disso, sendo essencialmente carbono, os cientistas afirmam que o grafeno tem o potencial para gerar células de memória muito mais baratas do que as atuais, que usam semicondutores caros e difíceis de purificar.
Flash de grafeno
Extrapolando as medições iniciais, Kang Wang e seus colegas da Universidade da Califórnia calcularam que a célula de memória flash de grafeno perde apenas 8% de sua carga em um período de 10 anos.
No mesmo período, as células de memória do seu pendrive ou cartão de memória da sua máquina digital perdem 50% de sua carga.
Essa maior estabilidade significa que as células de memória de grafeno interferem menos umas com as outras, o que permite fabricá-las mais juntas umas das outras.
É esse aumento na densidade que responde pelo acréscimo na capacidade de armazenamento de dados divulgada pela equipe.
Teoria e prática do grafeno
Segundo os pesquisadores, o formato de tela de galinheiro dá ao grafeno estados eletrônicos muito densos, o que lhe dá uma alta capacidade de armazenamento de elétrons em seus níveis de energia.
Essa estabilidade se traduz em uma maior capacidade de retenção das cargas.
Por outro lado, na prática o grafeno não se parece tanto com seu desenho ilustrativo teórico: há muitos furos e contaminantes, que o fazem ter um desempenho aquém do que prevê a teoria.
Isto é o que deixou os cientistas ainda mais entusiasmados, devido aos excelentes resultados obtidos mesmo com um material ainda longe do seu ideal teórico.
Bibliografia:
Graphene Flash Memory
Augustin J. Hong, Emil B. Song, Hyung Suk Yu, Matthew J. Allen, Jiyoung Kim, Jesse D. Fowler, Jonathan K. Wassei, Youngju Park, Yong Wang, Jin Zou, Richard B. Kaner, Bruce H. Weiller, Kang L. Wang
ACS Nano
September 2011
Vol.: Articles ASAP
DOI: 10.1021/nn201809k
fonte:http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=memoria-flash-grafeno&id=010110110906&ebol=sim
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